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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利MEMS扫描仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115657298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211367781.9，技术领域涉及：G02B26/08；该发明授权MEMS扫描仪是由王敏昌;梁勇;周民;胡铁刚设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS扫描仪在说明书摘要公布了：公开了一种MEMS扫描仪，包括镜面、对称的扭转梁和位于扭转梁上的位置传感器，镜面通过对称的扭转梁绕第一旋转轴和或第二旋转轴旋转；位置传感器为压阻式传感器，用于感测镜面绕第一旋转轴和或第二旋转轴的扭转角度，第一旋转轴与第二旋转轴垂直；其中，位置传感器包括形成惠斯通电桥结构的两个中心对称的X形压阻，每个X形压阻均包括第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻和第四压敏电阻，第一压敏电阻至第四压敏电阻与X形压阻的中心之间的距离均相等；第一压敏电阻和第二压敏电阻串联连接，其长度方向与相应的旋转轴呈‑45°；第三压敏电阻和第四压敏电阻串联连接，其长度方向与相应的旋转轴呈45°，可以提高位置传感器的灵敏度。

本发明授权MEMS扫描仪在权利要求书中公布了：1.一种MEMS扫描仪，其特征在于，包括镜面、对称的扭转梁和位于所述扭转梁上的位置传感器， 所述镜面通过对称的扭转梁绕第一旋转轴和或第二旋转轴旋转； 所述位置传感器为压阻式传感器，用于感测所述镜面绕所述第一旋转轴和或第二旋转轴的扭转角度，所述第一旋转轴与所述第二旋转轴垂直； 其中，所述位置传感器包括形成惠斯通电桥结构的两个中心对称的X形压阻， 每个所述X形压阻均包括第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻和第四压敏电阻，第一压敏电阻至第四压敏电阻与X形压阻的中心之间的距离均相等；第一压敏电阻和第二压敏电阻串联连接，其长度方向与相应的旋转轴呈-45°；第三压敏电阻和第四压敏电阻串联连接，其长度方向与相应的旋转轴呈45°， 每个X形压阻包括位于衬底中且彼此隔离的第一压阻区域、第二压阻区域、第三压阻区域、第四压阻区域以及多个接触区，第一压阻区域对应第一压敏电阻，第二压阻区域对应第二压敏电阻，第三压阻区域对应第三压敏电阻，第四压阻区域对应第四压敏电阻， 第一压敏电阻和第二压敏电阻分别位于正弯曲应力区域和负弯曲应力区域，在弯曲应力的作用下位于正弯曲应力区域和负弯曲应力区域内的第一压敏电阻和第二压敏电阻的阻值变化相反；第三压敏电阻和第四压敏电阻分别位于正弯曲应力区域和负弯曲应力区域，在弯曲应力的作用下位于正弯曲应力区域和负弯曲应力区域内的第三压敏电阻和第四压敏电阻的阻值变化相反。

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