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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利一种闪存单元阵列的制备工艺及闪存单元阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211350940.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种闪存单元阵列的制备工艺及闪存单元阵列是由王春明;韩建设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存单元阵列的制备工艺及闪存单元阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存单元阵列的制备工艺及闪存单元阵列，其中，工艺包括：在衬底上设置条带预构图；其中，条带预构图包括源极区域和漏极区域；在源极区域的两侧形成垂直堆叠的控制栅和浮栅，将离子注入至源极区域；沿第二方向，在相邻的垂直堆叠栅极之间形成擦除栅；在垂直堆叠栅极远离源极区域的一侧形成选择栅；其中，相邻的闪存单元的擦除栅沿第一方向在源极区域上不连续；沿第一方向在源极区域上设置光阻层，光阻层覆盖源极区域和擦除栅，使源极区域被擦除栅覆盖的区域和未被擦除栅覆盖的区域的离子掺杂相同。本发明提供的技术方案，实现保持源极区域的崩溃电压，减少漏电，减轻源极编程电压泵的功耗，减少沟道空穴产生，提高器件可靠性。

本发明授权一种闪存单元阵列的制备工艺及闪存单元阵列在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元阵列的制备工艺，其特征在于，包括： 在衬底上通过场氧化或浅沟槽隔离设置条带预构图；其中，所述条带预构图包括源极区域和漏极区域；所述源极区域沿第一方向在所述衬底中延伸分布；所述漏极区域和所述源极区域在第二方向上形成有源区域；所述第一方向与所述第二方向相交； 在所述源极区域的两侧形成垂直堆叠栅极；所述垂直堆叠栅极在靠近所述衬底的方向上依次为控制栅和浮栅的堆叠；将离子注入至所述垂直堆叠栅极之间所述衬底中的源极区域形成源极； 沿所述第二方向，在相邻的所述垂直堆叠栅极之间形成擦除栅；在所述垂直堆叠栅极远离所述源极区域的一侧形成选择栅；其中，相邻的所述闪存单元的所述擦除栅沿所述第一方向在所述源极区域上不连续，覆盖所述源极区域的部分区域； 沿所述第一方向在所述源极区域上设置光阻层，所述光阻层覆盖所述源极区域的未被所述擦除栅覆盖的区域和所述擦除栅； 在所述光阻层的覆盖下，对所述闪存单元阵列进行离子注入，使所述源极区域被所述擦除栅覆盖的区域和未被所述擦除栅覆盖的区域的离子掺杂相同，其中所述源极区域未被所述擦除栅覆盖的区域位于被所述擦除栅覆盖的区域之间； 注入完成后去除所述光阻层。

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