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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211296176.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由冯道欢;赵文礼设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供基底；于基底上形成多个沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱沿第二方向和第三方向间隔排列，半导体柱包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区位于沟道区的相对两侧，其中，沟道区包括与第三方向和第一方向所在平面平行的多个沟道层；形成多条沿第三方向延伸的字线，沿第三方向上每一字线连接多个半导体柱的沟道区，字线覆盖沟道层至少部分表面；第三方向垂直于基底表面，第一方向与第二方向相交且均平行于基底表面，至少有利于提高晶体管的栅控能力和降低功耗。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第三方向交替层叠的牺牲层和半导体层； 刻蚀所述堆叠结构以形成多个沿第二方向相间隔的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述牺牲层和所述半导体层内且沿第一方向延伸； 于所述第一凹槽内填充绝缘层； 沿所述第三方向刻蚀所述第一凹槽之间的所述半导体层，以形成多个沿所述第二方向相间隔的第二凹槽，剩余所述半导体层作为半导体柱，所述第二凹槽至少位于相邻所述第一凹槽之间，且相邻的所述第一凹槽之间具有多个所述第二凹槽，位于所述第二凹槽之间的所述半导体柱作为沟道层，位于相邻所述第一凹槽之间的所述沟道层构成沟道区；所述半导体柱沿第一方向延伸且所述第二方向和所述第三方向间隔排列，所述半导体柱包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述沟道区的相对两侧，其中，所述沟道区包括与所述第三方向和所述第一方向所在平面平行的多个沟道层； 形成多条沿所述第三方向延伸的字线，沿所述第三方向上每一所述字线连接多个所述半导体柱的所述沟道区，所述字线覆盖所述沟道层至少部分表面； 所述第三方向垂直于所述基底表面，所述第一方向与所述第二方向相交且均平行于所述基底表面。

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