中国科学院半导体研究所王开友获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110759599.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法是由王开友;刘雄华;邓永城设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
本发明授权一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法在权利要求书中公布了：1.一种磁随机存储单元，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，形成于所述衬底上； 第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转； 隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上； 第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上； 保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。
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