日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684593.8，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一线路层；第二线路层，与第一线路层位于不同的水平面；芯片，设置于第一线路层和第二线路层之间，芯片的被动面与第二线路层固定连接，芯片的主动面与第一线路层电连接，芯片的被动面和第二线路层通过粘合层固定连接，芯片的主动面和第一线路层之间设置有底部填充材。该半导体封装装置能够降低整体结构热膨胀系数的不一致程度，并且使芯片的边角位于压应力区，从而降低结构断裂的风险。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 第一线路层，所述第一线路层为重布线线路层； 第二线路层，与所述第一线路层位于不同的水平面，所述第二线路层为基板线路层； 芯片，设置于所述第一线路层和所述第二线路层之间，所述芯片的被动面与所述第二线路层固定连接，所述芯片的主动面与所述第一线路层电连接，所述芯片的双侧均得到支撑； 所述芯片的被动面和所述第二线路层通过粘合层固定连接，所述粘合层顶抵于所述第二线路层，从而缓解所述芯片下方边角处应力集中的程度； 所述芯片的主动面和所述第一线路层之间设置有底部填充材； 所述半导体封装装置的应力中性轴位于所述第一线路层和所述第二线路层之间并穿过所述芯片，所述应力中性轴将所述半导体封装装置分为压应力区域和拉应力区域；所述芯片的被所述底部填充材包覆的边角位于所述半导体封装装置的压应力区域； 所述第一线路层和所述第二线路层之间设置有介电材，所述介电材包覆所述芯片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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