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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利仿真方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115563909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110753690.8，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权仿真方法、装置、设备及存储介质是由翁坤设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本仿真方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开是关于一种仿真方法、装置、设备及存储介质，其中，仿真方法包括：获取预先建立的电容阵列区域的局部仿真模型，局部仿真模型用于表征电容阵列区域的第一仿真参数；建立非电容阵列区域的局部参数网表，局部参数网表包括非电容阵列区域的第二仿真参数；基于局部仿真模型和局部参数网表，建立外围区域的整体参数网表，整体参数网表表征外围区域的整体仿真参数，整体仿真参数包括第一仿真参数和第二仿真参数；基于整体参数网表，对外围区域进行仿真模拟。该仿真方法无需建立电容阵列区域的参数网表，无需对电容阵列区域进行寄生参数的提取，可大大缩短整体参数网表的建立时长，进而缩短整个仿真过程的时长，提升仿真效率。

本发明授权仿真方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种仿真方法，应用于存储结构的外围区域，所述外围区域包括电容阵列区域和非电容阵列区域，其特征在于，所述仿真方法包括： 获取预先建立的所述电容阵列区域的局部仿真模型，所述局部仿真模型用于表征所述电容阵列区域的第一仿真参数；所述第一仿真参数包括所述电容阵列区域的第一理论参数和第一寄生参数；不对所述电容阵列区域进行第一寄生参数的提取； 建立所述非电容阵列区域的局部参数网表，所述局部参数网表包括所述非电容阵列区域的第二仿真参数；所述第二仿真参数包括所述非电容阵列区域的第二理论参数和第二寄生参数；仅仅对非电容阵列区域进行所述第二寄生参数的提取，并结合非电容阵列区域的第二理论参数，建立非电容阵列区域的局部参数网表； 基于所述局部仿真模型和所述局部参数网表，建立所述外围区域的整体参数网表，所述整体参数网表表征所述外围区域的整体仿真参数，所述整体仿真参数包括所述第一仿真参数和所述第二仿真参数； 基于所述整体参数网表，对所述外围区域进行仿真模拟。

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