电子科技大学章文通获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种可变选择比SOI刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211199406.8，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权一种可变选择比SOI刻蚀方法是由章文通;刘腾;田丰润;张科;唐宁;何乃龙;张森;李肇基;张波设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可变选择比SOI刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可变选择比SOI刻蚀方法，通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀：1提供绝缘体上硅基片；2淀积可变选择比的复合硬掩模代替不可变选择比的传统硬掩模；3涂胶；4制版，用光刻版定义要刻蚀的区域；5刻蚀定义区域的光刻胶；6刻蚀复合硬掩模；7去胶；8使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅；9使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，本发明区别于传统刻蚀技术，可避免在刻蚀埋氧层时对于深槽侧壁的损伤，以及在刻蚀0.5μm以上的埋氧时，无需使用过厚的硬掩模，降低了工艺的成本，缓解了掩模应力同时提高了工艺的稳定性。
本发明授权一种可变选择比SOI刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种可变选择比SOI刻蚀方法，其特征在于通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀： 1提供绝缘体上硅基片； 2淀积可变选择比的复合硬掩模；复合硬掩模，从下至上包括第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层、多晶硅层、第三氧化层； 3涂胶； 4制版，用光刻版定义要刻蚀的区域； 5刻蚀定义区域的光刻胶； 6使用第一刻蚀方法刻蚀复合硬掩模； 7去胶； 8使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅； 9使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，第二选择和第一选择比不同。
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