美光科技公司杨广军获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210156672.6，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法是由杨广军设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成存储器电路系统的方法包括形成晶体管，所述晶体管个别地包括一个源极漏极区和另一源极漏极区。沟道区在所述一个源极漏极区与所述另一源极漏极区之间。导电栅极以操作方式接近所述沟道区。形成个别地直接电耦合到所述另一源极漏极区的导电通孔。形成直接耦合到所述一个源极漏极区的导体材料。在一个方向上使所述导体材料图案化以形成所述导体材料的水平线，所述水平线在紧邻的水平导体材料线之间具有水平沟槽。以自对准方式，形成个别地在所述紧邻导体材料线之间的所述沟槽中的个别者中的数字线。
本发明授权存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器电路系统，其包括： 衬底，其包括晶体管，所述晶体管个别地包括： 一对源极漏极区； 沟道区，其在所述一对源极漏极区之间；以及 导电栅极，其以操作方式接近所述沟道区； 导体通孔，其个别地直接电耦合到所述一对源极漏极区中的所述源极漏极区中的一个，所述导体通孔在竖直横截面中个别地包含具有从顶部到底部横向向外变锥形的两个侧壁的竖直部分； 导电通孔，其个别地直接电耦合到所述一对源极漏极区中的所述源极漏极区中的另一个； 数字线，其沿着多个所述晶体管的线个别地直接电耦合到多个所述导电通孔；以及 存储元件，其直接电耦合到所述导体通孔中的个别者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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