华中科技大学刘文中获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115541047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211271055.7，技术领域涉及：G01K7/36；该发明授权基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置是由刘文中;崔鑫超;周逸铭;杜敏;张朴;王琳设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置，属于纳米材料测试技术领域。方法包括，将磁纳米粒子样品放置在目标区域，通过外加直流激励磁场使得磁纳米粒子产生磁化响应；采用偏振光与磁场同轴方向照射磁纳米粒子，与样品发生法拉第磁光效应；将未添加磁纳米粒子的样品作为对照组，对其施加与外加直流激励磁场幅值相等、方向相反的激励磁场，并对出射光进行检测；根据检测得到的出射光计算磁纳米粒子产生的法拉第旋转角；将磁纳米粒子产生的法拉第旋转角与外加直流激励磁场利用郎之万函数进行非线性拟合，得到目标区域磁纳米粒子的温度。本发明可以实现远程且非侵入式的体内温度测量。
本发明授权基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于磁纳米粒子法拉第磁光效应的温度测量方法，其特征在于，包括： 将磁纳米粒子样品放置在目标区域，通过外加直流激励磁场使得磁纳米粒子产生磁化响应； 采用偏振光与磁场同轴方向照射磁纳米粒子，与样品发生法拉第磁光效应； 将未添加磁纳米粒子的样品作为对照组，对其施加与外加直流激励磁场幅值相等、方向相反的激励磁场，并对出射光进行检测； 根据检测得到的出射光计算磁纳米粒子产生的法拉第旋转角； 将磁纳米粒子产生的法拉第旋转角与外加直流激励磁场利用郎之万函数进行非线性拟合，得到目标区域磁纳米粒子的温度。
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