苏州森丸电子技术有限公司宋义获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州森丸电子技术有限公司申请的专利一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786797.7，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆是由宋义;余国红设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，从设计上降低深宽比，降低填充难度，可实现较厚玻璃晶圆的TGV互联；以涂胶层作为缓冲层，通过刻蚀处理形成多个通孔结构，并以通孔内的导电柱作为引脚连接互联层，形成间断分布的互联层，减少导电互联层的使用体积，经过高温时热膨胀量较小，同时间断部的涂胶材料也可以起到缓冲作用，另外，接触部分是通过多个导电柱相连接，增加了导通的可能性，提升器件的稳定性。
本发明授权一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆在权利要求书中公布了：1.一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、将玻璃晶圆进行清洗； S2、通孔改性，20μm直径过孔，深度为150~1000μm； S3、通孔改性，50-200μm直径过孔，深度为14~34的玻璃晶圆厚度，形成沉孔； S4、采用HF或者高温碱工艺，进行湿法腐蚀，形成喇叭状的TGV连通孔； S5、在TGV连通孔侧壁、底部表面及玻璃晶圆上表面填充金属黏附层，厚度小于2μm； S6、在TGV连通孔侧壁、沉孔底部填充导电层； S7、在TGV连通孔的沉孔上部涂覆具有光敏性能的树脂材料，形成涂胶层； S8、曝光； S9、显影、刻蚀涂胶层，填充导电材料，通过与导电层连通的引脚形成间断分布的互联层，在步骤S9中，通过显影、刻蚀形成大小不一的多个通孔，在沉孔对应的通孔内填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层通过多个导电柱与导电层连通。
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