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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210094016.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统是由朴兑训;郭东勋;崔亨进设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统。一种存储器装置包括控制器，其在向至少一个非易失性存储器单元施加第一编程脉冲之后执行编程验证。在数据编程操作期间施加第一编程脉冲并且数据编程操作包括施加多个编程脉冲以将多位数据编程到至少一个非易失性存储器单元中。控制器还基于编程验证的结果确定用于至少一个非易失性存储器单元的编程模式，并且基于编程模式改变第一控制电压的电平中的至少一个。第一控制电压被施加至联接到至少一个非易失性存储器单元的漏极选择线。

本发明授权用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 存储器结构，该存储器结构包括存储多位数据的至少一个非易失性存储器单元；以及 控制器，该控制器： 在数据编程操作期间在向所述至少一个非易失性存储器单元施加第一编程脉冲之后执行编程验证，所述数据编程操作包括施加多个编程脉冲以将多位数据编程到所述至少一个非易失性存储器单元，并且所述第一编程脉冲是所述多个编程脉冲中的一个， 基于所述编程验证的结果确定用于所述至少一个非易失性存储器单元的编程模式，以及 基于所述编程模式改变第一控制电压的电平中的至少一个，所述第一控制电压被施加至与所述至少一个非易失性存储器单元相关联的漏极选择线DSL， 其中，所述控制器： 响应于所述存储器装置的温度而确定所述第一控制电压的电平，以及 响应于在所述数据编程操作期间向所述至少一个非易失性存储器单元施加的编程脉冲的数量而确定是否改变或调整所述第一控制电压的电平，并且 其中，所述控制器： 将在所述数据编程操作期间向所述至少一个非易失性存储器单元施加的编程脉冲的数量与改变或调整所述第一控制电压的电平的预定数量进行比较，以及 响应于比较结果而确定是否应用过电压驱动。

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