远山新材料科技有限公司王龙获国家专利权
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龙图腾网获悉远山新材料科技有限公司申请的专利基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211233471.8，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法是由王龙设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法，器件包括外延层、栅极层和功能层，其中栅极层被设置于所述外延层的第一表面，包括栅极结构、第一钝化层结构和金属基板，其中所述栅极结构靠近所述第一表面，所述第一钝化层结构相对的设置在所述栅极结构的两侧，并在远离所述外延层的端部凸出所述栅极结构，所述金属基板位于所述栅极结构和所述第一钝化层结构的另一端；功能层被设置于所述外延层的第二表面，包括并列设置在所述第二表面的第二钝化层结构、源极结构和漏极结构，其中所述第二钝化层结构介于所述源极结构和所述漏极结构之间，以隔绝所述源极结构和所述漏极结构。本申请提供的器件焊线数量少，散热效果好，性能强。
本发明授权基于剥离衬底的半导体功率分立器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.基于剥离衬底的半导体功率分立器件，其特征在于，包括： 外延层，其中所述外延层具有相对设置的第一表面和第二表面； 栅极层，被设置于所述外延层的所述第一表面，其中所述栅极层包括栅极结构、第一钝化层结构和金属基板，其中所述栅极结构靠近所述第一表面，所述第一钝化层结构相对的设置在所述栅极结构的两侧，并在远离所述外延层的端部凸出所述栅极结构，所述金属基板位于所述栅极结构和所述第一钝化层结构远离所述外延层的表面； 功能层，被设置于所述外延层的所述第二表面，其中所述功能层包括并列设置在所述第二表面的第二钝化层结构、源极结构和漏极结构，其中所述第二钝化层结构介于所述源极结构和所述漏极结构之间，以隔绝所述源极结构和所述漏极结构； 所述外延层包括U-GaN层和AlGaN层，其中所述U-GaN层靠近所述栅极层，所述AlGaN层靠近所述功能层。
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