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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器结构和存储器版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115482843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110601628.7，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权存储器结构和存储器版图是由赵阳;车载龙设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构和存储器版图在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种存储器结构和存储器版图，包括：存储阵列，且每一存储阵列都包含多个存储单元；读写转换电路，设置在第一方向上的相邻两个存储阵列之间，读写转换电路在第二方向上排列，且具有第二方向上的对称轴，用于将外部数据写入存储单元，或将存储单元的数据读出，第一方向和第二方向相互垂直；感测放大电路，根据对称轴对称设置在相邻两个存储阵列之间，且耦合相邻存储阵列的存储单元，用于感测存储单元电压并且输出对应于存储单元电压的逻辑1或0；感测放大电路中MOS管的栅极结构的延伸方向与读写转换电路中MOS管的栅极结构的延伸方向相同；以旨在平衡设置在存储阵列之间的不同感测放大器中对应的MOS管的器件特性。

本发明授权存储器结构和存储器版图在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 存储阵列，且每一所述存储阵列都包含多个存储单元； 读写转换电路，设置在第一方向上的相邻两个所述存储阵列之间，所述读写转换电路在第二方向上排列，且具有所述第二方向上的对称轴，用于将外部数据写入所述存储单元，或将所述存储单元的数据读出，所述第一方向和所述第二方向相互垂直； 感测放大电路，根据所述对称轴对称设置在相邻两个所述存储阵列之间，且耦合相邻所述存储阵列的所述存储单元，用于感测所述存储单元电压并且输出对应于存储单元电压的逻辑1或0； 其中，所述感测放大电路中MOS管的栅极结构的延伸方向与所述读写转换电路中MOS管的栅极结构的延伸方向相同； 所述感测放大电路包括： 第一NMOS区域电路，耦合相邻所述存储阵列中的所述存储单元，基于所述对称轴对称设置在所述读写转换电路的两侧； 第二NMOS区域电路，耦合相邻所述存储阵列中的所述存储单元，基于所述对称轴对称设置在所述读写转换电路的两侧； 第一PMOS区域电路，耦合相邻所述存储阵列中的所述存储单元，基于所述对称轴对称设置在所述读写转换电路的两侧； 第二PMOS区域电路，耦合相邻所述存储阵列中的所述存储单元，基于所述对称轴对称设置在所述读写转换电路的两侧。

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