应用材料公司妮琴·K·英吉获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利三维间距倍增获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031844.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维间距倍增是由妮琴·K·英吉;弗雷德里克·费什伯恩设计研发完成，并于2021-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维间距倍增在说明书摘要公布了：提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了器件及方法，其中三维间距倍增将高深宽比蚀刻宽度从单元宽度去耦，从而产生小单元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。
本发明授权三维间距倍增在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器器件，包含： 第一存储器堆叠，包含在所述器件的第一部分上的第一材料层及凹陷的第二材料层的交替层，所述第一存储器堆叠包含具有第一宽度及第一间隔的第一有源区域； 第二存储器堆叠，位于所述器件的第二部分上，所述第二存储器堆叠包含所述第一材料层及所述凹陷的第二材料层的交替层，且包含具有第二宽度及第二间隔的第二有源区域；以及 高深宽比开口，所述高深宽比开口将所述第一部分与所述第二部分分离；以及 介电层，所述介电层形成在所述凹陷的第二材料层和相邻的凹陷的第二材料层之间，并且将所述第一材料层与相邻的材料层分离， 其中所述第一有源区域与所述第二有源区域的间距在约50nm至约80nm的范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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