锐芯微电子股份有限公司王超获国家专利权
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龙图腾网获悉锐芯微电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211007736.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王超;王林;黄金德;胡万景;豆正辉;黄楚林;张明涛设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的有源区、环绕所述有源区的屏蔽区、以及环绕所述屏蔽区的第一绝缘区，且所述第一绝缘区与所述屏蔽区相接触，部分所述有源区和所述屏蔽区之间还具有第二绝缘区，所述有源区包括相互分离的第一区和第二区，以及环绕所述第一区和所述第二区的第三区；位于所述第一区内的源极；位于所述第二区内的漏极；位于所述屏蔽区内的屏蔽结构，所述屏蔽结构内具有屏蔽离子；位于所述第三区上的栅极，且部分所述栅极还延伸至所述第二绝缘区上，减少相邻晶体管之间的漏电，同时满足逻辑电路设计要求。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的有源区、环绕所述有源区的屏蔽区、以及环绕所述屏蔽区的第一绝缘区，且所述第一绝缘区与所述屏蔽区相接触，部分所述有源区和所述屏蔽区之间还具有第二绝缘区，所述有源区包括相互分离的第一区和第二区，以及环绕所述第一区和所述第二区的第三区； 位于所述第一区内的源极； 位于所述第二区内的漏极； 位于所述屏蔽区内的屏蔽结构，所述屏蔽结构内具有屏蔽离子； 位于所述第三区上的栅极，且部分所述栅极还延伸至所述第二绝缘区上。
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