苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092801.9，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由程凯;张丽旸设计研发完成，并于2020-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构的制作方法及半导体结构，所述制作方法包括：提供衬底1；在所述衬底1上形成无定形层2，所述无定形层2包括多个图形21，使部分衬底1暴露；在所述无定形层2上形成金属氮化物层3；去除所述无定形层2，所述衬底1与所述金属氮化物层3之间形成多个空腔30；去除所述衬底1。在衬底1上形成无定形层2，并在无定形层2上形成金属氮化物层3，无定形层2可抑制外延生长时产生滑移或位错，从而提高金属氮化物层3的质量，改善半导体结构的性能，同时金属氮化物层3实现自支撑。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底1； 在所述衬底上形成无定形层2，所述无定形层2包括多个图形21，使部分衬底暴露，其中，每个所述图形21自所述衬底1向上延伸形成，所述图形21在所述衬底1上的投影为具有多个边的封闭图形、且所述多个图形21彼此间隔； 在所述无定形层2上形成金属氮化物层3； 去除所述无定形层，所述衬底1与所述金属氮化物层3之间形成多个空腔，以形成半导体结构；所述金属氮化物层3包括多个主体部31及多个支撑部32，所述支撑部32连接相邻的两个所述主体部31，所述主体部31与相邻的两个所述支撑部32围成所述空腔30，多个所述空腔的位置对应于多个所述图形21所占的空间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励