浙江驰拓科技有限公司钱沐琦获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利磁性随机存储器单元阵列及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110597072.9，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁性随机存储器单元阵列及其制造方法是由钱沐琦设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性随机存储器单元阵列及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁性随机存储器单元阵列，包括：基底，该基底包括存储阵列区、外围电路区和逻辑区，各区分别形成有底层金属线，外围电路区介于存储阵列区与逻辑区之间；位于基底上表面的第一介质层；位于存储阵列区的第一介质层中并与存储阵列区的底层金属线对准的底电极通孔阵列，该底电极通孔阵列内填充有导电金属；位于底电极通孔阵列上的第一底电极阵列；位于外围电路区的第一介质层上的第二底电极阵列；围绕第一底电极阵列和第二底电极阵列的第二介质层；位于第一底电极阵列上的磁性隧道结单元阵列；位于第二底电极阵列上的伪磁性隧道结单元阵列。本发明能够解决底电极研磨不均匀造成铜扩散的问题。
本发明授权磁性随机存储器单元阵列及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性随机存储器单元阵列，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括存储阵列区、外围电路区和逻辑区，各区分别形成有底层金属线，所述外围电路区介于所述存储阵列区与所述逻辑区之间，所述外围电路区的宽度大于设定阈值，所述设定阈值为保证存储阵列区的底电极通孔不会被化学机械抛光不均匀影响造成金属析出而需要增加的最小底电极排数； 第一介质层，位于所述基底上表面； 底电极通孔阵列，位于所述存储阵列区的第一介质层中并与所述存储阵列区的底层金属线对准，所述底电极通孔阵列内填充有导电金属； 第一底电极阵列，位于所述底电极通孔阵列上； 第二底电极阵列，位于所述外围电路区的第一介质层上； 第二介质层，其围绕所述第一底电极阵列和所述第二底电极阵列； 磁性隧道结单元阵列，位于所述第一底电极阵列上；以及， 伪磁性隧道结单元阵列，位于所述第二底电极阵列上。
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