上海积塔半导体有限公司周山获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体失效检测结构及其检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211055121.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体失效检测结构及其检测方法是由周山设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体失效检测结构及其检测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体失效检测结构及其检测方法，应用于半导体器件失效检测过程，半导体失效检测方法包括：在待检测晶圆预设范围内设置参考层；获取设置参考层对应待检测晶圆的晶圆图像；将晶圆图像与检测标准图像进行对比，根据参考层得到待检测晶圆中失效的位置信息及分析结果。本说明书实施例设置类似金属材料的参考层，该参考层为多个最小单元规则排布的参考块，尤其使参考块构成的参考层呈米型状或T型状排布，优化测试结构周边和上下层dummy结构的设计，在不影响各种不同功能的测试结构的基础上，不仅有助于形成更加清晰高对比度的测试结构图形影像，而且大大提升失效分析定位的准确性和物性失效分析的成功率和效率。
本发明授权半导体失效检测结构及其检测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体失效检测方法，应用于半导体器件失效检测过程，其特征在于，所述半导体失效检测方法包括： 在待检测晶圆的正面和或背面设置参考层，包括：在待检测晶圆的正面设置一个或多个第一金属层，或者，在待检测晶圆的背面设置一个第二金属层； 获取设置所述参考层对应待检测晶圆的晶圆图像； 将所述晶圆图像与检测标准图像进行比对，根据所述参考层得到所述待检测晶圆中失效的位置信息及分析结果； 所述半导体失效检测方法应用于栅氧化层完整性可靠测试结构以及辅助失效定位的测试结构，所述辅助失效定位的测试结构包括电子迁移测试结构、蛇形金属线结构或finger电容测试结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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