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龙图腾网获悉北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司申请的专利一种高温绝缘真空腔体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115403000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926159.0，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种高温绝缘真空腔体及其制备方法是由许姣;杨健;陈昱璠;郝文昌;张洪涛;张晓永;刘红;尹玉刚;彭泳卿设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高温绝缘真空腔体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高温绝缘真空腔体及其制备方法，包括第一晶片、腔体、第二晶片、绝缘层和高温金属吸气剂薄膜。本发明采用绝缘好、耐温高且与晶片热膨胀系数一致的绝缘层作为键合中间层，提高了键合片的高温绝缘性能，避免了绝缘层与晶片材质在高温下由于热膨失配引起键合失效的问题；高温金属吸气剂薄膜附着在腔体内的绝缘层上，不影响两片晶片的键合、绝缘性能，解决了常规块状吸气剂占空间且易产生微小颗粒污染的问题；高温退火工艺一方面增强晶片键合强度，另一方面激活吸气剂，吸收腔体内的残气并维持真空度，使得键合腔体的真空度得到进一步提升。本发明腔体高温绝缘性好且真空度高，满足量程低于100kPa的电容式高温压力传感器的制备需求。

本发明授权一种高温绝缘真空腔体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高温绝缘真空腔体，其特征在于：包括第一晶片1，刻蚀在所述第一晶片1上面中部的腔体2，设置在所述第一晶片1上部的第二晶片3，沉积在所述第一晶片1上并与所述第二晶片3键合的绝缘层4和设置在所述腔体2底面的高温金属吸气剂薄膜5，所述绝缘层4用于作为所述第一晶片1和所述第二晶片3键合的中间层，所述高温金属吸气剂薄膜5用于在高温退火时被激活后吸收所述腔体2内部的残气； 所述腔体2的底面和侧面也设置所述绝缘层4，所述高温金属吸气剂薄膜5位于设置在位于所述腔体2底面的绝缘层4上部，所述绝缘层4的热膨胀系数与所述第一晶片1和所述第二晶片3匹配，所述腔体2为绝缘真空腔体； 所述第一晶片1和所述第二晶片3的材质均为SiC； 所述绝缘层4的材质为氮化铝，所述绝缘层4的厚度小于所述第一晶片1和所述第二晶片3的厚度，所述绝缘层4的厚度为100nm～500nm； 所述高温金属吸气剂薄膜5的制备方法为磁控溅射依次沉积Ti薄膜和Ta薄膜后进行真空退火； 键合的温度400℃～450℃，压力1800N，保持时间60min～120min，键合后进行高温退火同时进行所述高温金属吸气剂薄膜5的激活，高温退火的工艺参数兼容所述高温金属吸气剂的激活温度，高温退火的工艺参数为：升温速率＜10℃min、温度800℃～950℃、保温时间3h～5h、气氛为空气或Ar气、降温速率＜10℃min，待温度降至100℃后取出所述高温绝缘真空腔体。

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