中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利LDMOS结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110536506.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权LDMOS结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种LDMOS结构及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一阱区，所述第一阱区掺杂有硼离子，且所述第一阱区中形成有隔离沟槽；在所述隔离沟槽的侧壁和底部形成包括碳离子的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面包括碳硼团簇层；在所述隔离沟槽内形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述半导体衬底的表面共面；形成包括第二阱区、栅极结构以及源极和漏极的LDMOS结构。本申请技术方案的LDMOS结构及其形成方法能够有效阻止阱区内的掺杂离子向隔离结构扩散，大幅度提升器件性能。
本发明授权LDMOS结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一阱区，所述第一阱区掺杂有硼离子，且所述第一阱区中形成有隔离沟槽； 在所述隔离沟槽的侧壁和底部形成包括碳离子的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面包括碳硼团簇层； 在所述隔离沟槽内形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述半导体衬底的表面共面； 形成包括第二阱区、栅极结构以及源极和漏极的LDMOS结构，其中所述第二阱区位于所述隔离结构一侧的第一阱区中，所述栅极结构横跨且覆盖部分所述隔离结构、第一阱区以及第二阱区表面，所述漏极位于所述隔离结构远离所述栅极结构一侧的所述第一阱区中，所述源极位于所述栅极结构一侧的第二阱区中。
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