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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利可降低形变应力的衬底加工方法及衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210977056.7，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权可降低形变应力的衬底加工方法及衬底是由李志宇;周志豪;王云云;黄建烽;李贤途设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本可降低形变应力的衬底加工方法及衬底在说明书摘要公布了：本发明提供一种可降低形变应力的衬底加工方法及衬底，包括：将晶棒切割为晶片，并对晶片进行研磨，以改善晶片的平整度；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一方向平行的第一沟槽，第一方向与晶片的平边方向平行，多个第一沟槽在晶片的第一径向方向上间隔设置，且多个第一沟槽沿第一径向方向布满晶片的第一表面；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一沟槽垂直的第二沟槽，多个第二沟槽在晶片的第二径向方向上间隔设置，且多个第二沟槽沿第二径向方向布满晶片的第一表面；对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片进行高温退火；利用抛光设备对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片的第二表面进行抛光。该方法减小了晶片的翘曲和变形程度。

本发明授权可降低形变应力的衬底加工方法及衬底在权利要求书中公布了：1.一种可降低形变应力的衬底加工方法，其特征在于，所述方法包括： 将晶棒切割为晶片，并对所述晶片进行研磨，以改善所述晶片的平整度； 将研磨后的晶片吸附在载台上的真空座上，利用开槽部件在所述晶片的第一表面上开设多个与第一方向平行的第一沟槽，所述第一方向与所述晶片的平边方向平行，多个所述第一沟槽在所述晶片的第一径向方向上间隔设置，且多个所述第一沟槽沿所述第一径向方向布满所述晶片的第一表面； 利用所述开槽部件在所述晶片的第一表面上开设多个与所述第一沟槽垂直的第二沟槽，多个所述第二沟槽在所述晶片的第二径向方向上间隔设置，且多个所述第二沟槽沿所述第二径向方向布满所述晶片的第一表面； 对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片进行高温退火； 利用抛光设备对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片的第二表面进行抛光，所述第二表面为所述晶片的与所述第一表面相对的一面； 所述开槽部件为开槽砂轮，所述开槽砂轮包括多个平行且间隔设置的磨料环，各所述磨料环均套置在所述开槽砂轮的外周面上； 所述开槽砂轮的磨料环与晶片呈垂直状态，所述磨料环的表面上附着有多个金刚石颗粒，且所述金刚石颗粒的大小为500号至600号。

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