北京北方华创微电子装备有限公司马一鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210962646.2，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件是由马一鸣;杨光;王京设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法，方法包括：提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；对待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保护步和第一刻蚀步；其中，氧化保护步用于在应变层和牺牲层的侧壁上形成氧化保护层；对待刻蚀对象的侧壁执行第二刻蚀步，直到牺牲层被刻蚀到设定的横向深度；第二刻蚀步的等离子体密度大于第一刻蚀步的等离子体密度。本发明能够实现在刻蚀环栅结构中牺牲层被高选择性地去除，而应变层得到有效的保护。
本发明授权环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种环栅结构刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀对象，所述待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，所述叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；所述应变层为Si，所述牺牲层为SiGe；对所述待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，所述循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保护步和第一刻蚀步；其中，所述氧化保护步用于在所述应变层和所述牺牲层的侧壁上形成氧化保护层，其中所述牺牲层的表层被氧化为SiO2，所述牺牲层的次表层为富Ge的SiGe，所述应变层的表层被氧化为SiO2，所述应变层的次表层为Si；所述循环刻蚀步用于使所述牺牲层内的Ge富集； 对所述待刻蚀对象的侧壁执行第二刻蚀步，直到所述牺牲层被刻蚀到设定的横向深度；所述第二刻蚀步的等离子体密度大于所述第一刻蚀步的等离子体密度，以提高SiGeSi刻蚀选择比。
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