台湾积体电路制造股份有限公司陈怡伦获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管中的空气间隔件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210791965.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权晶体管中的空气间隔件及其形成方法是由陈怡伦;黄昭宪;林立德;林群雄设计研发完成，并于2018-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管中的空气间隔件及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括内侧壁间隔件和位于内侧壁间隔件的外侧上的伪间隔件部分。该方法还包括去除伪间隔件部分以形成沟槽，并且形成介电层以密封沟槽的部分以作为气隙。气隙和内侧壁间隔件的组合形成第二栅极间隔件。源极漏极区域形成为具有位于第二栅极间隔件的外侧上的部分。本发明实施例涉及晶体管中的空气间隔件及其形成方法。
本发明授权晶体管中的空气间隔件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在半导体区域上方形成栅极堆叠件； 在所述栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件，其中，所述第一栅极间隔件包括：内侧壁间隔件；以及伪间隔件部分，所述伪间隔件部分位于所述内侧壁间隔件的外侧上； 去除所述伪间隔件部分以形成沟槽； 形成介电层以密封所述沟槽的部分作为气隙，其中，所述气隙和所述内侧壁间隔件的组合形成第二栅极间隔件；以及 形成包括位于所述第二栅极间隔件的外侧上的部分的源极漏极区域， 其中，所述形成半导体器件的方法还包括： 形成接触所述第一栅极间隔件的侧壁的接触蚀刻停止层；以及 在所述接触蚀刻停止层的底部上方形成层间电介质，其中，在形成所述层间电介质之后去除所述伪间隔件部分，并且所述接触蚀刻停止层具有暴露于所述气隙的侧壁， 其中，所述气隙具有低于所述源极漏极区域的顶面延伸的第一部分，所述源极漏极区域的第二部分暴露于所述气隙的所述第一部分。
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