西安紫光国芯半导体有限公司白泽青获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利三维堆叠存储芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759041.3，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权三维堆叠存储芯片及电子设备是由白泽青设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维堆叠存储芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维堆叠存储芯片及电子设备。该三维堆叠存储芯片包括：层叠连接的若干存储晶粒和逻辑晶粒；逻辑晶粒与若干存储晶粒层叠连接，且逻辑晶粒包括与外界连通的第一接口；其中，至少一存储晶粒中设置有检测电路，至少一存储晶粒中设置的检测电路分别与第一接口连接，所述检测电路用于检测各自所属的存储晶粒的内部工作电压，并通过第一接口输出。该三维堆叠存储芯片有效减少了第一接口在三维堆叠存储芯片上的占用面积，降低了三维堆叠存储芯片的制造成本。
本发明授权三维堆叠存储芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠存储芯片，其特征在于，包括： 层叠连接的若干存储晶粒； 逻辑晶粒，与所述若干存储晶粒层叠连接，且所述逻辑晶粒包括与外界连通的第一接口； 其中，至少一所述存储晶粒中设置有检测电路，所述至少一所述存储晶粒中设置的检测电路分别与所述第一接口连接，所述检测电路用于检测与之连接的各个所述存储晶粒的内部工作电压，并通过所述第一接口输出；其中，不同的所述存储晶粒对应不同的第一连接链路分别连接所述检测电路；所述检测电路通过第二连接链路而连接所述第一接口；所述第二连接链路包括所述若干存储晶粒之间的层间互连结构和或所述逻辑晶粒与所述若干存储晶粒之间的层间互连结构；不同的所述存储晶粒对应的所述第二连接链路至少共用所述逻辑晶粒与相邻的所述存储晶粒之间的层间互连结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安紫光国芯半导体有限公司，其通讯地址为：710075 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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