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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利限幅器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806647.8，技术领域涉及：H03G11/02；该发明授权限幅器电路是由戴若凡设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本限幅器电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种限幅器电路，包括多个依次串接的传输线，一端的传输线作为射频信号的输入端，另一端的传输线连接有放大器的输入端，放大器的输出端作为射频信号的输出端；依次连接于相邻传输线及放大器间的限幅器支路，每个限幅器支路的寄生电容均相等；与每个限幅器支路电性连接的限幅器偏置电路，用于使得每个限幅器支路的开启功率电压均相等。本发明根据电流不均衡分布调整每一限幅器支路的尺寸，使得每一支路限幅器电流密度均衡，在实现电流密度均衡改善功率保护能力前提下能够有效改善插损与阻抗匹配，提高带宽。

本发明授权限幅器电路在权利要求书中公布了：1.一种限幅器电路，其特征在于，包括： 多个依次串接的传输线，一端的所述传输线作为射频信号的输入端，另一端的所述传输线连接有放大器的输入端，所述放大器的输出端作为射频信号的输出端； 依次连接于相邻所述传输线及所述放大器间的限幅器支路，所述限幅器支路包括N型二极管、P型二极管、电容以及电阻，每个所述限幅器支路的寄生电容均相等； 与每个所述限幅器支路电性连接的限幅器偏置电路，用于使得每个限幅器支路的开启功率电压均相等； 所述限幅器偏置电路包括：第一至四三端可调电阻器、第一、二两端可变电阻器、第一、二NMOS、第一、二PMOS、第十五P型二极管和第十六N型二极管；其中，所述第一三端可调电阻器的第一固定端接电源电压VDD，其第二固定端与所述第一NMOS的漏极连接，其活动端与所述第一NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极与所述第十六N型二极管的正极连接，所述第十六N型二极管的负极与第三三端可调电阻器的第一固定端连接，所述第三三端可调电阻器的第二固定端与所述第二NMOS的漏极连接，所述第三三端可调电阻器的活动端与所述第二NMOS的栅极连接，所述第二NMOS的源极与所述第一两端可变电阻器的一端固定连接，所述第一两端可变电阻器的另一端接地；所述第一PMOS的源极接电源电压VCC，所述第一PMOS的漏极与所述第二三端可调电阻器的第一固定端连接，所述第二三端可调电阻器的第二固定端与所述第十五P型二极管的负极连接，所述第二三端可调电阻器的活动端与所述第一PMOS的栅极连接，所述第十五P型二极管的正极与所述第二PMOS的源极连接，所述第二PMOS的漏极与所述第四三端可调电阻器的第一固定端连接，所述第四三端可调电阻器的活动端与所述第二PMOS栅极连接，所述第四三端可调电阻器的第二固定端与所述第二两端可变电阻器的第一端连接，所述第二两端可变电阻器的另一端接地。

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