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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种TSV微模组结构及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910247.1，技术领域涉及：H10W90/20；该发明授权一种TSV微模组结构及制备工艺是由赵超;郭雁蓉;匡乃亮;赵国良;李庆设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TSV微模组结构及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TSV微模组结构及制备工艺，包括：相邻两层TSV硅基板之间采用微凸点连接；FC芯片设置在最顶层的TSV硅基板的上端面；BGA焊球设置在最底层的TSV硅基板的下端面；热传感器设置在FC芯片内部；每层TSV硅基板的上端面设置有腔体，腔体中埋设有有源芯片；有机薄膜铺设在腔体和有源芯片之间；TTC芯片设置在最底层的TSV硅基板下端面的中间。本发明能够通过顶部的热传感器测定的温度、底部的TTC芯片测定的温度和微模组结构热阻数据计算得到各层有源芯片工作结温。本发明不改变原有TSV模组结构，不影响原有设计，集成方便；贴装工艺简单可靠，不改变原有TSV模组工艺流程，工艺兼容性好；热传感器与TSV模组之间采用表贴焊接，接触热阻小，测温更准确。

本发明授权一种TSV微模组结构及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种TSV微模组结构，其特征在于，包括：FC芯片1、有源芯片2、微凸点3、有机薄膜5、TSV硅基板6、BGA焊球7、热传感器8和TTC芯片9； 相邻两层TSV硅基板6之间采用微凸点3连接；所述FC芯片1设置在最顶层的TSV硅基板6的上端面；所述BGA焊球7设置在最底层的TSV硅基板6的下端面；所述热传感器8设置在FC芯片1内部； 每层TSV硅基板6的上端面设置有腔体，所述腔体中埋设有有源芯片2；所述有机薄膜5铺设在腔体和有源芯片2之间；所述TTC芯片9设置在最底层的TSV硅基板6下端面的中间； 所述TTC芯片9由TTC晶圆得到； 所述TTC晶圆得到TTC芯片9具体为： 对TTC晶圆进行RDL加工，形成表贴焊盘，并将加工后TTC晶圆进行减薄和划片，得到TTC芯片9； 所述相邻两层TSV硅基板6之间为层级空间4，所述层级空间4中填充有环氧类胶；所述TTC芯片9边缘到BGA焊球7边缘不少于300um。

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