南亚科技股份有限公司黄庆玲获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有铜锰衬层的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210141924.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权具有铜锰衬层的半导体元件及其制备方法是由黄庆玲设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有铜锰衬层的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有铜锰衬层的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一井区以及一第二井区，设置在一半导体基底中。该半导体元件亦具有一第一介电层，设置在该半导体基底上并覆盖该第一井区与该第二井区；以及一栅极结构，设置在该第一介电层上且在该第一井区与该第二井区之间。该半导体元件还具有一导电结构，设置在该第一井区上并通过该第一介电层的一部分而与该第一井区分隔开。该导电结构具有一阻障层以及一导电栓塞，该导电栓塞设置在该阻障层上，且该阻障层包含铜锰。该第一井区、该等电结构以及该第一介电层的该部分形成一反熔丝结构。
本发明授权具有铜锰衬层的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一井区以及一第二井区，设置在一半导体基底中； 一第一介电层，设置在该半导体基底上并覆盖该第一井区以及该第二井区； 一栅极结构，设置在该第一介电层上，且在该第一井区与该第二井区之间，其中该栅极结构包括一栅极介电层和一栅极电极层，该栅极介电层设置在该第一介电层上，该栅极电极层设置在该栅极介电层上；以及 一导电结构，设置在该第一井区上，并通过该第一介电层的一部分而与该第一井区分隔开，其中该导电结构包括一阻障层以及一导电栓塞，该导电栓塞设置在该阻障层上，且该阻障层包含铜锰； 其中该第一井区、该导电结构以及该第一介电层的该部分形成一反熔丝结构。
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