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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110356312.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴家亨;陈晓军;方文斌;黄烁;惠海霞设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成位于所述介质层内的第一开口、位于介质层内的第二开口、以及位于衬底内的初始第三开口，所述第二开口位于第一开口底部且与第一开口连通，所述第二开口侧壁相对于第一开口侧壁凹陷，所述第二开口侧壁相对于初始第三开口侧壁凹陷，且所述第二开口底部暴露出所述衬底部分顶部表面；对所述初始第三开口内壁和所述第二开口底部暴露出的衬底顶部表面进行刻蚀，在所述衬底内形成第三开口；在所述第三开口、所述第二开口和所述第一开口内形成外延层，避免了仅对所述初始第三开口侧壁的衬底刻蚀而造成的“咬边”缺陷，进而提高所形成的器件的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底表面的介质层； 位于所述介质层内的第一开口、位于所述介质层内的第二开口、以及位于所述衬底内的第三开口，所述第二开口位于第一开口底部且与第一开口连通，所述第二开口侧壁相对于第一开口侧壁凹陷，所述第二开口侧壁相对于所述第三开口侧壁凹陷或所述第二开口侧壁齐平于所述第三开口侧壁，所述第三开口通过在形成所述第一开口、所述第二开口以及位于所述衬底内的初始第三开口之后，对所述初始第三开口内壁和所述第二开口底部暴露出的衬底顶部表面进行刻蚀之后形成，所述初始第三开口和所述第一开口相互连通； 位于所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口内的外延层，所述外延层包括第一区、与所述第一区相邻且位于所述第一区上的第二区，以及与所述第二区相邻且位于所述第二区上的第三区，所述第一区位于所述第三开口内，所述第二区位于所述第二开口内，所述第三区位于所述第一开口内，所述第二区侧壁相对于所述第三区侧壁凸出，所述第二区侧壁齐平于或凸出于所述第一区侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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