中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司殷华湘获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210339902.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由殷华湘;张青竹;姚佳欣;曹磊设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上；其中，所述纳米片堆栈部包括：多个纳米片形成的叠层，所述纳米片由半导体材料形成；所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕于所述纳米堆栈部周围；源漏区SD，与纳米片堆栈部交界处为轻掺杂且陡峭的源漏扩展区SDE。本发明在内侧墙刻蚀之后源漏选择外延之前通过倾角离子注入形成SDE掺杂，然后在源漏退火之后形成陡峭、分布均匀且横向结深精确可控的SDE区，由此有效控制有效沟长、避免复杂的原位掺杂外延工艺。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 提供衬底； 在所述衬底上外延生长由第一半导体第二半导体交替层叠的超晶格叠层； 刻蚀所述超晶格叠层，形成多个鳍片； 在所述鳍片上形成假栅，并对鳍片进行刻蚀； 对所述鳍片上的第一半导体、第二半导体的超晶格叠层进行选择性刻蚀形成纳米片堆栈部，从外向内刻蚀掉部分超晶格叠层中第一半导体形成的纳米片，然后在鳍片外周沉积氮化硅第三侧墙，对第三侧墙进行刻蚀，刻蚀至在竖直方向与第二半导体层平齐；刻蚀完成后，对鳍片通过倾角离子注入，使得第二半导体层外侧边缘注入离子，形成源漏区延伸离子注入层,其中，倾角注入角度范围为5°~45°，能量范围为0.1keV~100keV； 选择外延生长工艺形成源漏区并进行退火，退火温度范围为500℃~1000℃； 介质沉积与平坦化露出假栅； 实现纳米片的沟道释放，其中所述纳米片形成的叠层构成为多个导电沟道； 形成环绕式栅极，环绕于纳米堆栈部周围。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励