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龙图腾网获悉深圳市速腾聚创科技有限公司申请的专利一种移相器、光相控阵以及光相控阵的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115053172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080005553.X，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种移相器、光相控阵以及光相控阵的制备方法是由牛犇设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种移相器、光相控阵以及光相控阵的制备方法在说明书摘要公布了：一种移相器100、光相控阵10以及光相控阵10的制备方法，移相器100包括信号发生器110以及波导120，信号发生器110用于产生电磁波信号；波导120位于电磁波信号的传输路径上，以使在电磁波信号的作用下波导120内传输的光线的相位能够改变，波导120的制备材料包括氮化铝。通过将波导120的制备材料设置为氮化铝，氮化铝与CMOS工艺兼容且可以通过磁控溅射方法以薄膜的形式淀积于基底130上，形成的氮化铝薄膜具有晶格结构以及电光效应，且能实现比基于热光效应更快的调相速度。

本发明授权一种移相器、光相控阵以及光相控阵的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种移相器，其特征在于，包括： 信号发生器，用于产生电磁波信号；所述信号发生器包括第一电极结构及第二电极结构，所述第一电极结构用于连接激励源；所述第二电极结构用于接地，从而使所述第二电极结构与所述第一电极结构之间能够产生所述电磁波信号； 波导，位于所述电磁波信号的传输路径上，以使在所述电磁波信号的作用下所述波导内传输的光线的相位能够改变，所述波导的制备材料包括氮化铝； 基底层；以及 绝缘层，层叠设置于所述基底层上，所述波导、所述第一电极结构以及所述第二电极结构均与所述绝缘层连接，所述波导位于所述绝缘层内；所述绝缘层具有背离所述基底层的第一表面，所述第一电极结构设置于所述第一表面； 所述第二电极结构包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分位于所述绝缘层内且与所述第一电极结构对应，所述第一部分与所述第一电极结构之间设置有所述波导；第二部分位于所述绝缘层内，所述第二部分的一端连接所述第一部分，所述第二部分的另一端延伸至所述第一表面；所述第三部分设置于所述第一表面，且所述第三部分连接所述第二部分远离所述第一部分的一端； 所述波导、所述第一电极结构以及所述第二电极结构的数量均为多个，多个所述波导在所述绝缘层内间隔设置，每个所述第一电极结构均设置于所述第一表面且分别与一个所述波导对应；每个所述第二电极结构的所述第二部分以及所述第三部分分别位于相邻两个所述第一电极结构之间，且所有的所述第二电极结构的所述第一部分连接成为一体式结构，每个所述第二电极结构与相邻的两个所述第一电极结构之间能够产生所述电磁波信号。

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