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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210737686.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法是由吕智军;李婷;何杰;李海松;徐晚成;崔双韬;曹天骄;袁昕;张曼;杨靓设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。

本发明授权一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构，其特征在于，包括外延层10、阱注入区11、传输管阈值调整注入层12、栅氧化层13、栅极14、PD注入区15、FD区16、高k介质层17、FD欧姆接触金属18、反射金属层19和钝化层20； 所述阱注入区11、传输管阈值调整注入层12和PD注入区15设置在外延层10上，传输管阈值调整注入层12的一侧依次设置有栅氧化层13和栅极14，所述FD区16位于阱注入区11内部，所述高k介质层17设置在外延层10表面，同时覆盖栅极14、PD注入区15和FD区16，FD欧姆接触金属18与FD区16表面接触，反射金属层19设置在高k介质层17的表面，钝化层20设置在反射金属层19、高k介质层17和FD欧姆接触金属18的表面； 其中，所述反射金属层19的材料的功函数低于所述外延层10的功函数，利用功函数差在所述PD注入区15的表面感应出空穴积累层，从而代替离子注入形成的钳位层。

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