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龙图腾网获悉常州是为电子有限公司申请的专利一种自举驱动的控制装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115021528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210422538.6，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种自举驱动的控制装置及控制方法是由杨锡旺;付瑜设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自举驱动的控制装置及控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种自举驱动的控制装置及控制方法，包括全桥电路和自举驱动电路；全桥电路包括第一至第四MOS晶体管、第一至第四二极管。自举驱动电路包括自举驱动模块、第一和第二自举电容、第五二极管。自举驱动模块用于当第一MOS晶体管由导通变为截止且第四MOS晶体管由导通变为截止时，将第一和第二自举电容的电压加载到第二MOS晶体管的栅极；还用于当第二MOS晶体管由导通变为截止且第三MOS晶体管由导通变为截止时，将第一电源电压和第一自举电容的电压加载到第一MOS晶体管的栅极；通过自举驱动电路分别控制第三和第四MOS晶体管在各自工作的半个周期内持续导通来实现自举电容的充分充电，从而在全桥电路进入轻载模式时实现第一和第二MOS晶体管的顺利导通。

本发明授权一种自举驱动的控制装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种自举驱动的控制装置，其特征在于，包括：全桥电路和自举驱动电路； 所述全桥电路包括第一MOS晶体管Q1、第二MOS晶体管Q2、第三MOS晶体管Q3、第四MOS晶体管Q4、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4；第一MOS晶体管Q1的源极和第三MOS晶体管Q3漏极相连并作为全桥电路的第一桥臂A，第二MOS晶体管Q2的源极和第四MOS晶体管Q4的漏极相连并作为全桥电路的第二桥臂B；第一桥臂A和第二桥臂B之间用于连接负载；第一MOS晶体管Q1的漏极和第二MOS晶体管Q2的漏极相连并连接第一电源电压VCC，第三MOS晶体管Q3的漏极和第四MOS晶体管Q4的漏极相连并接地；全桥电容C10的两端连接在第一电源电压VCC和地之间； 所述自举驱动电路包括自举驱动模块10、第一自举电容C1、第二自举电容C2、第五二极管D5；其中，第一自举电容C1的第一端、第二自举电容C2的第一端以及自举驱动模块10相连并连接第五二极管的负极；第五二极管D5的正极连接第二电源电压VDD；第一自举电容C1的第二端连接第一MOS晶体管Q1的源极并作为第一桥臂A，第二自举电容C2的第二端连接第二MOS晶体管Q2的源极并作为第二桥臂B； 其中，在全桥电路的一个完整工作周期的上半周期内，自举驱动电路将第四MOS晶体管Q4设置为导通状态；在整个下半周期内，自举驱动电路将第三MOS晶体管Q3设置为导通状态，实现自举电容的充分充电。

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