长江存储科技有限责任公司刘沙沙获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种存储器及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210515488.6，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权一种存储器及其制备方法、存储系统是由刘沙沙;高晶;张浩;黄文龙;张文耀;霍宗亮设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。再在堆叠层上形成图案化硬掩模层，该图案化硬掩模层中形成有覆盖第一区域的第一停止层，该图案化硬掩模层包括位于第一停止层上的第一开口图案，以及位于堆叠层上对应第二区域的沟道孔图案。最后基于图案化硬掩模层对堆叠层进行刻蚀，以在第二区域形成沟道孔。第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀。在刻蚀堆叠层时，在需要形成沟道孔的区域和不需要形成沟道孔的区域的交界处，可以减少残留物分子聚集在交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。
本发明授权一种存储器及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域； 在所述堆叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层中形成有覆盖所述第一区域的第一停止层； 对所述硬掩模层进行刻蚀形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层包括位于所述第一停止层上的第一开口图案，以及位于所述堆叠层上对应所述第二区域的沟道孔图案，所述第一开口图案和所述沟道孔图案在同一刻蚀工艺中形成，且所述第一开口图案的深度小于所述沟道孔的深度； 基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀，以在所述第二区域形成对应所述沟道孔图案的沟道孔。
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