台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利纳米片的氟掺入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210055609.3，技术领域涉及：H10D62/00；该发明授权纳米片的氟掺入方法是由李欣怡;黄懋霖;朱龙琨;赵皇麟;徐志安设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米片的氟掺入方法在说明书摘要公布了：一种纳米片的氟掺入方法，包括以下步骤：在基板上形成多个纳米结构；蚀刻该些纳米结构以形成凹槽；在凹槽中形成源极漏极区域；移除该些纳米结构的第一纳米结构，留下该些纳米结构的第二纳米结构；在第二纳米结构上方及周围沉积栅极介电层；在栅极介电层上沉积保护材料；对保护材料进行氟处理；移除保护材料；在栅极介电层上沉积第一导电材料；及在第一导电材料上沉积第二导电材料。
本发明授权纳米片的氟掺入方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米片的氟掺入方法，其特征在于，包含以下步骤： 在一基板上形成多个纳米结构； 蚀刻该些纳米结构以形成多个凹槽； 在该些凹槽中形成多个源极漏极区域； 移除该些纳米结构的多个第一纳米结构，留下该些纳米结构的多个第二纳米结构； 在该些第二纳米结构上方及周围沉积一栅极介电层； 在该栅极介电层上沉积一保护材料以保护该栅极介电层，该保护材料包含金属；对该保护材料进行一氟处理； 移除该保护材料； 在该栅极介电层上沉积一第一导电材料；及 在该第一导电材料上沉积一第二导电材料。
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