杭州深谙微电子科技有限公司陈雷铖获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州深谙微电子科技有限公司申请的专利温度传感器及其校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114964531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110219695.2，技术领域涉及：G01K7/00；该发明授权温度传感器及其校准方法是由陈雷铖设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本温度传感器及其校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种温度传感器及其校准方法，该温度传感器包括：温度感测模块，用于根据不同的待测温度产生相应的基准电压差；温度校准模块，用于根据待测温度下的基准电压差、预设温度下的基准电压差和多个校准系数输出待测温度的温度值，其中，多个校准系数用于对待测温度下的基准电压差和预设温度下的基准电压差的差值进行多阶校准。本发明能够有效的降低测量误差，极大程度的提高温度传感器的测量精度。同时本发明在进行温度传感器的校准及测试时为采用单温度点测试方式，测试成本低，在生产中具有较高的经济性。
本发明授权温度传感器及其校准方法在权利要求书中公布了：1.一种温度传感器，其中，包括： 温度感测模块，用于根据不同的待测温度产生相应的基准电压差； 温度校准模块，用于根据待测温度下的基准电压差、预设温度下的基准电压差和多个校准系数输出待测温度的温度值， 其中，所述多个校准系数用于对所述待测温度下的基准电压差和所述预设温度下的基准电压差的差值进行多阶校准； 待测温度的温度值的计算公式如下： ， 其中，T为所述待测温度的温度值，k0对应为预设温度的温度值，k1对应为一阶校准时的校准系数，kn对应为n阶校准时的校准系数，ΔVbe对应为待测温度下侧得的基准电压差，ΔVbe_t0对应为预设温度下的基准电压差，以及n为大于1的整数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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