三菱电机株式会社中村胜光获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210129166.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由中村胜光设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供即使在硅系半导体材料不同的情况下，如果接通电压相同，则也能够使通断损耗相同的半导体装置。本发明还涉及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有第1主面及第2主面；第1导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第2导电型的第1杂质扩散层，其形成于漂移层的第1主面侧；以及第1导电型的缓冲层，其形成于漂移层的第2主面侧，与漂移层相比峰值杂质浓度高，漂移层具有：第1阱，其能级比导带底部的能量低出0.246eV；第2阱，其能级比导带底部的能量低出0.349eV；以及第3阱，其能级比导带底部的能量低出0.470eV，第2阱的阱密度大于或等于2.0×1011cm‑3。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体基板，其具有第1主面及第2主面； 第1导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板； 第2导电型的第1杂质扩散层，其形成于所述漂移层的所述第1主面侧；以及 第1导电型的缓冲层，其形成于所述漂移层的所述第2主面侧，与所述漂移层相比峰值杂质浓度高， 所述漂移层具有： 第1阱，其能级比导带底部的能量低出0.234eV； 第2阱，其能级比导带底部的能量低出0.349eV；以及 第3阱，其能级比导带底部的能量低出0.470eV， 所述第2阱的阱密度大于或等于2.0×1011cm-3
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