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龙图腾网获悉岱昆半导体(上海)有限公司申请的专利一种双差分比较器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114938220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210707991.1，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种双差分比较器电路是由肖安全设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双差分比较器电路在说明书摘要公布了：一种双差分比较器电路，包括：VINP+连接MN1A的栅极，MN1A的漏极连接电源VDD，源极连接电阻R1A的一端，R1A的另外一端连接MP1A的源极；VINP‑连接MP1A的栅极，MP1A的漏极连接N2A的栅极、漏极和MN2B的漏极；MN2A和MN2B的源极连接地GND；信号端VINN+连接MN1B的栅极，MN1B的漏极连接MP2A的栅极、漏极和MP2B的栅极；MP2A和MP2B的源极连接电源VDD；MN1B的源极连接电阻R1B的一端，电阻R1B的另一端连接MP1B的源极；VINN‑连接MP1B的栅极，MP1B的漏极VO连接MN2B的漏极和MN3的栅极；MN3的源极连接地GND，漏极连接输出端DO、MP2B的漏极。其优点是：该发明的克服了现有技术中单端比较器不能对差分信号进行比较处理的缺点，成功实现了对差分大信号的直接比较输出；其电路结构简单，成本低廉。

本发明授权一种双差分比较器电路在权利要求书中公布了：1.一种双差分比较器电路，其特征在于：包括两对信号输入端：VINP+、VINP-和VINN+、VINN-,以及一个信号输出端：DO； 所述信号输入端VINP+连接NMOS管MN1A的栅极，MN1A的漏极连接电源VDD，源极连接电阻R1A的一端，R1A的另外一端连接PMOS管MP1A的源极；所述信号输入端VINP-连接所述PMOS管MP1A的栅极，MP1A的漏极连接NMOS管MN2A的栅极、漏极和MN2B的栅极；所述NMOS管MN2A和MN2B的源极连接地GND； 所述信号端VINN+连接NMOS管MN1B的栅极，MN1B的漏极连接PMOS管MP2A的栅极、漏极和PMOS管MP2B的栅极；所述PMOS管MP2A和MP2B的源极连接电源VDD；所述NMOS管MN1B的源极连接电阻R1B的一端，电阻R1B的另一端连接PMOS管MP1B的源极；所述信号端VINN-连接所述PMOS管MP1B的栅极，所述PMOS管MP1B的漏极VO连接所述NMOS管MN2B的漏极和NMOS管MN3的栅极；所述MN3的源极连接地GND，漏极连接输出端DO、所述PMOS管MP2B的漏极。

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