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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114912334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110183057.X，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质是由刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质，应用于三维集成静态随机存储器SRAM，所述方法包括：获取目标SRAM的结构模型，结构模型包括多个堆叠层；对结构模型进行粒子辐照仿真，得出入射粒子在结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，其中，粒子电离半径为粒子入射到每个堆叠层时产生的经迹的半径；再确定每个堆叠层的灵敏区大小；根据目标SRAM的结构模型和每个堆叠层的灵敏区大小，得到目标SRAM仿真模型；对目标SRAM仿真模型进行粒子辐照仿真，确定目标SRAM在粒子辐照下存在的翻转位数i，以及发生i位翻转的事件数量，基于翻转位数i以及发生i位翻转的事件数量，得到目标SRAM的单粒子翻转截面大小。

本发明授权单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种单粒子翻转截面测试方法，其特征在于，应用于三维集成静态随机存储器SRAM，所述方法包括： 获取目标SRAM的结构模型，所述结构模型包括多个堆叠层； 对所述结构模型进行粒子辐照仿真，得出入射粒子在所述结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，其中，所述粒子电离半径为粒子入射到每个堆叠层时产生的径迹的半径； 基于所述每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，确定所述每个堆叠层的灵敏区大小； 根据所述目标SRAM的结构模型和所述每个堆叠层的灵敏区大小，得到目标SRAM仿真模型； 对所述目标SRAM仿真模型进行粒子辐照仿真，确定所述目标SRAM在粒子辐照下存在的翻转位数i，以及发生i位翻转的事件数量，并基于翻转位数i以及发生i位翻转的事件数量，得到所述目标SRAM的单粒子翻转截面大小； 所述对所述结构模型进行粒子辐照仿真，得出入射粒子在所述结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，包括：基于所述目标SRAM，对所述结构模型中包含的多个堆叠层进行划分，并将每个堆叠层中均分为多个区域；基于其中一个区域确定仿真区域，针对所述仿真区域进行粒子辐照仿真，使得仿真粒子从所述仿真区域的表面入射，得到所述每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径； 所述基于其中一个区域确定仿真区域，针对所述仿真区域进行粒子辐照仿真，包括：从所述多个区域中选定一个区域作为目标区域；在所述目标区域中确定第一仿真区域以及第二仿真区域，其中，所述第一仿真区域位于与硅通孔对应的区域内，所述第二仿真区域位于未对应有硅通孔的区域内；分别针对所述第一仿真区域和所述第二仿真区域进行粒子辐照仿真，得到入射粒子在所述结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径。

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