长鑫存储技术有限公司丁德宝获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利光罩及其检测方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114911130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210490454.6，技术领域涉及：G03F1/42；该发明授权光罩及其检测方法、装置、设备及介质是由丁德宝设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光罩及其检测方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种光罩及其检测方法、装置、设备及介质，所述光罩包括光罩本体及设置于光罩本体的光校准标记；光罩本体包括沿第一方向依次叠置的第一材质的基底、第二材质的第一图案层及第三材质的第二图案层，第一图案层及第二图案层用于共同限定光罩的转移图形；光校准标记包括沿第二方向依次排布的第一材质的第一标记图形、第二材质的第二标记图形及第三材质的第三标记图形；其中，第一方向与第二方向垂直。本公开实施例提高对光罩进行缺陷检测的效率及精度，从而提高制备半导体产品的良率及可靠性。
本发明授权光罩及其检测方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种光罩检测方法，其特征在于，用于检测光罩是否存在缺陷，所述光罩包括光罩本体及设置于所述光罩本体的光校准标记，所述光罩本体包括沿第一方向依次叠置的第一材质的基底、第二材质的第一图案层及第三材质的第二图案层，所述第一图案层及所述第二图案层用于共同限定所述光罩的转移图形，所述光校准标记包括沿第二方向依次排布的第一材质的第一标记图形、第二材质的第二标记图形及第三材质的第三标记图形，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述方法包括： 将第一波长的第一光束投射到第一标记图形上，获取所述第一标记图形对所述第一光束的第一校准参数； 将第二波长的第二光束投射到第二标记图形上，获取所述第二标记图形对所述第二光束的第二校准参数； 将第三波长的第三光束投射到第三标记图形上，获取所述第三标记图形对所述第三光束的第三校准参数； 比较所述第一校准参数、所述第二校准参数以及所述第三校准参数与标准数据库中对应的预设标准参数，并根据比较结果判断所述光罩是否存在缺陷。
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