中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司徐进获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093859.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由徐进;高飞;程东向设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构，所述鳍部结构沿第一方向延伸；在每个鳍部结构上形成沿第一方向延伸的初始第一栅结构；刻蚀所述初始第一栅结构，使所述初始第一栅结构的顶部呈圆角；在刻蚀所述初始第一栅结构后，采用离子注入工艺对所述初始第一栅结构的顶部及与顶部连接的侧壁进行表面处理，形成第一栅结构，并且，在垂直于衬底表面的方向上，所述第一栅结构的线宽自所述第一栅结构的顶部至底部连续增大。以提高所形成的半导体器件的性能和可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构，所述鳍部结构沿第一方向延伸； 位于每个鳍部结构上且沿第一方向延伸的第一栅结构，所述第一栅结构的顶部呈圆角，在垂直于衬底表面的方向上，所述第一栅结构的线宽自所述第一栅结构的顶部至底部连续增大，所述第一栅结构中掺杂有第一离子和第二离子，且所述第一离子和第二离子的导电类型相反； 位于所述第一栅结构表面的介质膜；位于所述介质膜表面的若干第二栅结构，所述第二栅结构的延伸方向与所述第一栅结构的延伸方向垂直； 其中，所述第一栅结构的形貌，是通过对掺杂有第一离子的初始第一栅结构顶部及与顶部连接的侧壁进行第二离子的注入，来对所述初始第一栅结构的形貌进行微调后形成的；所述初始第一栅结构的顶部呈圆角，侧壁具有凹陷。
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