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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110109498.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置是由刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置，所述三维单片集成电路包括：三维单片集成电路上层、三维单片集成电路下层、位于所述三维单片集成电路上层和所述三维单片集成电路下层之间的中间层电介质，所述中间层电介质中设置有层间孔，所述方法包括：确定所述层间孔的尺寸、所述层间孔材料的电阻率以及所述中间层电介质的属性；基于所述层间孔的尺寸及所述层间孔材料的电阻率，构建所述层间孔的寄生电阻模型；基于所述层间孔的尺寸及所述中间层电介质的属性，构建所述层间孔对应的寄生电容模型。

本发明授权一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种三维单片集成电路的层间孔建模方法，其特征在于，所述三维单片集成电路包括：三维单片集成电路上层、三维单片集成电路下层、位于所述三维单片集成电路上层和所述三维单片集成电路下层之间的中间层电介质，所述中间层电介质中设置有层间孔，所述方法包括： 确定所述层间孔的尺寸、所述层间孔材料的电阻率以及所述中间层电介质的属性； 基于所述层间孔的尺寸及所述层间孔材料的电阻率，构建所述层间孔的寄生电阻模型； 基于所述层间孔的尺寸及所述中间层电介质的属性，构建所述层间孔对应的寄生电容模型，包括：基于所述层间孔的长度、宽度，以及所述中间层电介质的宽度、介电常数，确定耦合电容的电容值，所述耦合电容为两个相邻的所述层间孔之间产生的电容；基于所述耦合电容的电容值，构建耦合电容模型；和或 所述基于所述层间孔的尺寸及所述中间层电介质的属性，构建所述层间孔对应的寄生电容模型，包括：基于所述中间层电介质的介电常数，以及所述层间孔的长度、宽度、厚度，确定边缘电容的电容值，所述边缘电容为电场分布不均产生的电容；基于所述边缘电容的电容值，构建边缘电容模型。

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