格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司S·邓克尔获国家专利权
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龙图腾网获悉格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司申请的专利可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111172976.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法是由S·邓克尔;D·M·克莱梅尔设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法，揭示具有多种操作模式如倍频模式等的可重新配置的互补金属氧化物半导体装置。装置包括N型场效应晶体管NFET及P型场效应晶体管PFET，其是阈值电压可编程，并联连接，并具有电性连接的栅极。可同时编程NFET及PFET的阈值电压，并可依据在NFET及PFET中达到的阈值电压的特定组合设置装置的操作模式。可选地，可同时重新编程NFET及PFET的阈值电压，以切换操作模式。这样的装置较小，并以最小的功耗达到倍频及其它功能。本申请还揭示用于形成装置以及用于重新配置装置也就是，用于同时编程NFET及PFET以设置或切换操作模式的方法。
本发明授权可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种可重新配置的互补金属氧化物半导体装置，包括： N型场效应晶体管；以及 P型场效应晶体管， 其中，该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管包括阈值电压可编程场效应晶体管，其中，在输出节点与接地节点之间，该N型场效应晶体管的第一漏极区与第一源极区分别电性连接至该P型场效应晶体管的第二源极区与第二漏极区，使得该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管在该输出节点与该接地节点之间并联电性连接，并且该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管具有电性连接的栅极，以及 其中，该输出节点位于该第一漏极区与该第二源极区之间的接合处，该接地节点位于该第一源极区与该第二漏极区之间的接合处，并且该电性连接的栅极与输入节点电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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