中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所顾颖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210375515.4，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权发光器件及其制备方法是由顾颖;陆书龙;杨文献;张鹏;邱海兵;张雪设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括外延片、钝化层、电流扩展层及电极，其中：所述外延片上形成有发光单元、及位于发光单元旁侧且刻蚀至N型半导体层的台阶，所述台阶具有向上倾斜的侧壁；所述钝化层位于台阶上；所述电流扩展层位于器件台面及全部或部分第二表面上方；所述电极包括栅线电极、第一电极及第二电极。本发明器件台面上方区域仅存在栅线电极，第一电极不会对器件形成遮光，大大提高了器件的发光效率；栅线电极的宽度和长度、及第一电极的大小可以等比缩小或放大，有利于对材料特性的研究，且能显著缓解电流拥挤效应。
本发明授权发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括外延片、钝化层、电流扩展层及电极，其中： 所述外延片依次包括衬底、N型半导体层、有源层及P型半导体层，所述外延片上形成有发光单元、及位于发光单元旁侧且刻蚀至N型半导体层的台阶，所述台阶具有向上倾斜的侧壁； 所述钝化层位于台阶上，所述钝化层具有与发光单元相邻的第一表面及远离发光单元的第二表面，所述第一表面与发光单元的顶面平齐，并构成平坦化的器件台面，所述钝化层中形成有贯穿第二表面至N型半导体层的隔离槽； 所述电流扩展层位于器件台面及全部或部分第二表面上方； 所述电极包括栅线电极、第一电极及第二电极，所述栅线电极位于器件台面上方区域内的电流扩展层上且与P型半导体层电性连接，所述第一电极位于钝化层的第二表面上方区域内且与栅线电极电性连接，所述第二电极位于隔离槽中且与N型半导体层电性连接； 所述钝化层的第一表面位于台阶侧壁上方区域，第二表面位于台阶底壁上方区域，钝化层还具有连接第一表面和第二表面的第三表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励