上海华力微电子有限公司李哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289049.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制造方法是由李哲;钱俊;孙昌;秋沉沉设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的一种图像传感器的新型制造方法中，通过在光电二极管区的外围半导体衬底中设置由压电材料层和压电材料电极构成的压电器件层，并利用压电器件层对图像传感器光电二极管区所对应的半导体衬底产生应力，从而改变其晶格常数，并影响其吸收光子的能量范围，以实现有效扩充图像传感器色域空间，并最终提升CMOS图像传感器的产品性能的目的。
本发明授权图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽隔离结构以及通过所述沟槽隔离结构定义出的至少一个光电二极管区； 步骤S2，在所述光电二极管区的表面上形成压电器件层，以利用所述压电器件层在沿垂直于所述半导体衬底的方向上，调节所述光电二极管区所对应的半导体衬底的晶格常数； 所述压电器件层包括压电材料层和设置在所述压电材料层顶面两端上的压电材料电极层； 在步骤S2形成所述压电器件层之前，所述方法还包括：在所述光电二极管区的表面上形成第一介质层； 所述步骤S2中形成压电器件层的步骤，包括： 在所述第一介质层的表面上形成两侧分别具有一底部暴露出部分所述第一介质层的开口的压电材料层； 在所述压电材料层的至少部分表面上形成第二介质层； 在每个所述开口中填充压电材料电极层，以使所述压电材料电极层至少填满所述开口； 所述压电材料层的材料包括CdS或ZnO，所述压电材料电极层的材料包括Ga或Ge。
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