上海华力微电子有限公司刘琦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289043.0，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法是由刘琦;王明;李晓玉设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的图像传感器像素结构的形成方法中，通过在传统的55nm图像传感器在低压炉管中使用硅烷生长多晶硅栅极结构的过程中，同时通入浓度可控且可以起到吸附作用的掺杂离子，以在降低形成的小尺寸图像传感器的栅极结构的金属离子污染情况的基础上，改善小尺寸图像传感器的白色像素。
本发明授权图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器像素结构的形成方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有器件隔离结构以及通过所述器件隔离结构定义出的至少一个光电二极管区； 步骤S2，对所述光电二极管区的半导体衬底进行刻蚀，以形成每个所述光电二极管区所需的至少一个栅极沟槽； 步骤S3，通过控制并利用沉积工艺，形成每个所述光电二极管区所需的掺杂后的图形化栅极结构，且在每个所述光电二极管区中，所述图形化栅极结构至少填满各个所述栅极沟槽； 所述步骤S3形成所述掺杂后的图形化栅极结构的步骤包括：将所述步骤S2中形成有栅极沟槽的半导体衬底放置在低压炉管中，并通入浓度可控的硅烷气体和掺杂气体，以至少在所述栅极沟槽中填满掺杂后的图形化栅极结构；并且，步骤S3中形成的所述掺杂后的图形图形化栅极结构中所包含的掺杂离子为磷离子和碳离子。
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