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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011502393.8，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由陈坦林;郭万里;刘天建设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将测试合格的芯片通过第二键合胶层与第二载片临时键合，芯片的第一面上的保护层与第二键合胶层接触；平坦化芯片的远离第二载片的一侧，暴露出芯片的第二面上的键合界面层；将芯片通过第二面上的键合界面层与目标晶圆键合；去除第二载片，第一面的保护层上残留有部分的第二键合胶层；以及，平坦化芯片的远离目标晶圆的一侧，以去除残留的第二键合胶层和第一面上的保护层，并暴露第一面上的键合界面层，获得键合结构。本发明的技术方案能够防止混合键合界面与键合胶直接接触，确保键合界面层的表面具有很高的清洁度，避免导致芯片与目标晶圆之间的混合键合工艺出现异常。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 步骤S1，形成多个测试合格的芯片，每个芯片的两相对的第一面和第二面上均依次形成有键合界面层和保护层； 步骤S2，提供一第二载片，形成有第二键合胶层，将所述芯片通过所述第二键合胶层与所述第二载片进行临时键合，所述芯片的第一面上的保护层与所述第二键合胶层接触，相邻的所述芯片之间具有间隙； 步骤S3，覆盖介质层于所述芯片上，所述介质层填满所述间隙； 步骤S4，平坦化所述芯片的远离所述第二载片的一侧，直至暴露出所述芯片的第二面上的键合界面层； 步骤S5，将所述芯片通过所述第二面上的键合界面层与一目标晶圆键合； 步骤S6，执行解键合工艺，以去除所述第二载片，所述第一面的保护层上残留有部分的所述第二键合胶层；以及， 步骤S7，平坦化所述芯片的远离所述目标晶圆的一侧，以去除残留的所述第二键合胶层和所述第一面上的保护层，并暴露出所述第一面上的键合界面层，获得键合结构。

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