东京毅力科创株式会社清水昭贵获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111492956.4，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权蚀刻方法和蚀刻装置是由清水昭贵;细野真树;佐藤枢设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在蚀刻Si或SiN时，以使表面粗糙度良好的方式进行蚀刻。用于蚀刻存在于基板的Si或SiN的蚀刻方法包括以下处理：对具有Si或SiN的基板实施自由基氧化处理，在Si或SiN的表面生成氧化膜；利用气体对氧化膜进行化学处理；以及去除通过化学处理生成的反应生成物，并且所述蚀刻方法多次重复生成氧化膜的处理、进行化学处理的处理、以及去除反应生成物的处理。
本发明授权蚀刻方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，用于蚀刻存在于基板的Si或SiN，所述蚀刻方法包括以下处理： 对具有Si或SiN的基板实施自由基氧化处理，在Si或SiN的表面生成氧化膜； 利用气体对所述氧化膜进行化学处理；以及 去除通过所述化学处理生成的反应生成物， 其中，所述蚀刻方法多次重复生成所述氧化膜的处理、进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理， 所述自由基氧化处理中通过含氧气体生成含氧等离子体，并且使含氧等离子体中的主要是氧自由基进行作用，所含氧气体是H2气体、含氟气体、以及稀有气体与O2气体的混合气体， 所述基板具有4μm以上的深度的凹部，所述Si或所述SiN存在于所述凹部的侧面，在进行所述自由基氧化处理时，调整压力以及所述含氧气体中的所述含氟气体的比例，以控制所述凹部的正面宽度与最深部之间的负载效应， 进行所述自由基氧化处理时的压力为50～160mTorr。
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