中央硝子株式会社山内邦裕获国家专利权
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龙图腾网获悉中央硝子株式会社申请的专利干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073880.9，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置是由山内邦裕;北山光;八尾章史设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：本公开的实施方式的干式蚀刻方法为一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于处理体的表面的、包含M‑O键能为5eV以上的金属或前述金属的氧化物的被蚀刻膜与β‑二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻。
本发明授权干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于被处理体的表面的、包含M-O键能为5eV以上的金属的氧化物的被蚀刻膜与β-二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻， 其中，所述被蚀刻膜为选自由铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物、铝氧化物和铪、锆、钛和铝中的两种以上的氧化物组成的组中的至少1种的膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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