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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111173063.3，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法是由S·P·阿杜苏米尔;J·J·埃利斯·莫纳汉;S·M·尚克;Y·T·恩古;M·J·齐拉克设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法，揭示一种结构，包括半导体层，具有装置区，以及位于该装置区内的单晶部分以及延伸穿过该单晶部分的多晶部分。该结构包括主动装置，包括装置组件，其位于该装置区中且包括多晶部分。例如，该装置可为场效应晶体管FET例如，简单FET或用于低噪声放大器或RF开关的多指FET，具有至少一个源极漏极区域，其位于该装置区中且包括延伸穿过该单晶部分的至少一个多晶部分。该些实施例可依据结构的类型例如，块体或SOI、依据其中的装置的类型、且还依据该多晶部分的数目、尺寸、形状、位置、取向等变化。本文中还揭示一种形成该结构的方法。

本发明授权具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体层，具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，其中，该半导体层具有邻近该第二表面的装置区，以及位于该装置区内的单晶部分以及从该第二表面向该第一表面延伸穿过该单晶部分至埋置多晶部分的至少一个多晶部分，且其中，该埋置多晶部分包括与该单晶部分及该至少一个多晶部分相同的材料；以及 主动半导体装置，包括该单晶部分及该至少一个多晶部分， 其中，在该装置区内，该至少一个多晶部分包括延伸穿过该单晶部分的多个多晶部分， 其中，该主动半导体装置包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括位于该装置区内的交替的沟道区域与源极漏极区域， 其中，横向位于两个沟道区域之间的各源极漏极区域包括该多个多晶部分的至少其中之一， 其中，位于沟道区域的相对侧上的两个源极漏极区域中的每一个包括该多个多晶部分的单个多晶部分，以及 其中，该单个多晶部分具有横越该源极漏极区域的整个宽度以方形蜿蜒图案连接的多个垂直段。

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