美光科技公司徐峻获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111493017.1,技术领域涉及:G11C16/34;该发明授权管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛是由徐峻;V·莫斯基亚诺;E·E·于设计研发完成,并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛在说明书摘要公布了:本申请涉及管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛。使得将第一编程脉冲施加到与存储器子系统的存储器单元相关联的字线。响应于第一编程脉冲,使得将执行程序验证操作以确定与所述存储器单元相关联的测量到的阈值电压。将与所述存储器单元相关联的所述测量到的阈值电压存储在感测节点中。作出所述存储器单元的所述测量到的阈值电压满足条件的确定并且识别存储在所述感测节点中的所述测量到的阈值电压。使得将与所述测量到的阈值电压匹配的位线电压施加到与所述存储器单元相关联的位线。
本发明授权管理与存储器子系统的存储器单元相关联的编程收敛在权利要求书中公布了:1.一种用于执行存储器操作的方法,其包括: 致使第一编程脉冲施加到与存储器装置的存储器单元相关联的字线; 响应于所述第一编程脉冲,致使在所述存储器单元上执行程序验证操作以确定与所述存储器单元相关联的测量到的阈值电压; 在与所述存储器单元相关联的感测节点中存储与所述存储器单元相关联的所述测量到的阈值电压; 确定所述存储器单元的所述测量到的阈值电压满足条件; 识别存储在所述感测节点中的所述测量到的阈值电压;以及 在第二编程脉冲期间,致使与所述测量到的阈值电压匹配的位线电压施加到与所述存储器单元相关联的位线。
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